產(chǎn)品特點

1.設備采用ICP理念設計，采用雙射頻源，離子水平垂直方向獨立控制，蝕刻速率高，均勻性和形貌控制更換。
2.ESC 采用最新的multi-zone，coulomb型ESC，chuck wafer安全，多區(qū)域控溫可更精準控制wafer溫度，進一步優(yōu)化蝕刻均勻性。
3.腔體內(nèi)部采用coating工藝，內(nèi)部parts可根據(jù)客戶工藝進行配置，多種選擇，損耗更低。
4.自主研發(fā)的控制系統(tǒng)，wafer傳輸更加安全高效，整機參數(shù)控制更精準。
5.絕大部分國產(chǎn)零部件大大降低了客戶后期的維護成本。

應用領域

主要應用邏輯和存儲芯片，如：CPU、GPU、SoC等。